Composant de commutation semi-conducteur pour professionnels
Le module de puissance de type IGBT répertorié sous la référence MG300Q2YS50 constitue le cœur des systèmes modernes de contrôle de l'énergie. Ce semi-conducteur associe la commande simple des transistors à effet de champ à la capacité de courant élevée des transistors bipolaires, offrant un excellent compromis pour les applications de forte puissance.
Caractéristiques dimensionnelles et électriques
Ce tableau résume les données utiles pour l'intégration mécanique de votre module MG200Q2YS40 ou MG300Q2YS50 :
Paramètre électromécanique
Valeur nominale
Unité de mesure
Tension d'isolation du boîtier
2500
V (AC, 1 minute)
Température maximale de jonction
150
Degrés Celsius
Couple de serrage des bornes
3.0
Newton-mètre
Fiabilité des processus industriels continus
Grâce à sa configuration en double module, l'unité MG200Q2YS50 permet de réaliser des montages en pont complet ou en demi-pont avec un encombrement minimal. Les concepteurs de machines bénéficient d'un gain de place significatif dans les coffrets électriques, tout en garantissant une excellente tenue face aux contraintes environnementales des ateliers de fabrication.
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